Çok Geniş Ölçekli Tümleşim (VLSI)

Çok Geniş Ölçekli Tümleşim (VLSI), binlerce transistörün tek bir yonga üzerinde birleştirilmesi ile Tümleşik Devrelerin oluşturulması işlemidir. Çok Geniş Ölçekli Tümleşim, 1970'li yıllarda karmaşık yarıiletken ve iletişim teknolojilerindeki gelişmelerle başlamıştır. Günümüz teknolojilerinde birim alana sığdırılabilen transistör sayısının milyarlar seviyesine çıkması ile bu terim yerini ULSI(En Geniş Ölçekli Tümleşim) ifadesine bırakmaya başlamıştır.

İlk yarıiletken teknolojideki yonga 2 transistörden oluşmaktadır. Zamanla gerçekleşen ilerlemeler sayesinde birim alana çok daha fazla transistör eklenebilmiş ve bunun sonucunda daha fazla sayıda bağımsız fonksiyonların ve sistemlerin tümleşimi gerçekleştirilmiştir. İlk tümleşik devreler diyot, transistör, direnç ve kondansatör gibi devre elemanlarından çok az bir kısmını içerebilmekte ve ancak bir veya birkaç mantık kapısının tek bir araçta toplanabilmesine imkan vermekteydi. Daha eskilerden bilinen küçük ölçekli tümleşim (SSI) ve gelişen teknik bu mantık kapısı sayısının bir tasarımda yüzlerce sayıya kadar toplanabilmesini sağlamıştır. İlerleyen iyileştirmeler neticesinde Geniş Ölçekli Tümleşim(LSI)e yönelim gerçekleşmiş ve bunun neticesinde en az binler mertebesinde kapı bulunduran sistemler ortaya çıkmıştır. En son gelinen teknoloji çok daha ileri seviyede bulunmakta ve günümüz mikroişlemcileri milyonlarca kapı ve milyarlarca transistör içermektedir.